近日，华工科技中央研究院与中国科学技术大学合作开展的宽禁带化合物半导体激光退火研究取得重大进展，由中国科学技术大学李家文教授为通讯作者，华工科技中央研究院半导体项目技术负责人黄伟博士为共同通讯作者所著的论文《Numerical simulation and experimental investigation of laser pulse duration effects on Ni/SiC ohmic contacts during ultraviolet laser annealing》在国际知名学术期刊《Optics and Laser Technology》正式发表，标志着我国在半导体激光制程领域的基础研究获得国际学术界认可。

该论文的研究内容聚焦在高能量紫外脉冲激光作用于宽禁带化合物半导体碳化硅（SiC）晶体材料及金属表面的作用机制，分析激光引发的材料物理化学变化，精准揭示其对半导体器件电学性能的影响。

研究团队通过高能量紫外脉冲激光作用于碳化硅（SiC）晶体及金属表面，首次系统及深刻地揭示了不同紫外激光脉宽下调控宽禁带化合物半导体器件电学性能的原理和方法，通过软件仿真了解紫外脉冲激光在金属镍（Ni）薄膜和SiC中热扩散机理和路径，再依托华工科技自主研发的全自动SiC晶圆激光退火装备实现工艺落地，完成Ni/SiC器件的欧姆接触退火测试，并得到行业内较好水准的器件性能参数，为激光退火技术在化合物半导体的量产应用提供了理论依据与工艺范式。

基于研究成果转化的华工科技全自动SiC晶圆激光退火装备目前已实现产业化突破。该设备兼容6/8英寸晶圆及减薄片、键合片等各类SiC晶圆加工，通过机台前置EFEM系统预定位，结合定制激光退火头和精密运动平台，实现对整片SiC晶圆背金面(Ni/Ti层)退火，形成良好欧姆接触，降低接触电阻，提高器件电学性能。经量产验证，该装备WPH≥15片（每四分钟可加工一片晶圆），工艺均匀性≥95%，关键指标居行业领先水平，目前已在半导体厂商投入实际验证。

转自：华工激光

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