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激光退火
罗芬为半导体wafer Fab前道工序提供整体交钥匙解决方案
材料来源:激光世界           录入时间:2013/8/2 15:31:08

 

 

罗芬激光推出前道工序(FEOL)处理交钥匙解决方案,进入半导体市场。新的激光晶圆处理系统Waferlase®200/300/450,是一个全自动的模块化平台,包含市场领先的(超)薄半导体晶片传送系统,以及可以根据应用的类型选择激光处理模组。Waferlase®200/300/4508”/12”/18”wafer size)产品系列从提供IGBT晶圆激光退火和激光晶圆ID 软打标方案开始。

   领先的超薄晶片自动化传送技术

     
罗芬集成了上接触晶圆传送技术,即使晶片有较大的翘曲和弯曲,也能提供精确的无接触式超薄晶圆传输。为开放式标准晶舟或FOUP晶片承载系统,配有两个或多个标准盒端口。集成的扫描头,检测晶片在晶舟的精确位置。全面而易于使用的系统软件控制晶舟slot的分配,晶片弯曲测量,晶片位置以及ID检测,甚至由于万一晶圆损坏处理而会自动改变晶片拾取和放置的顺序,例如由于大面积的或相邻晶圆的相反方向的弯曲。一个高端的双臂机器人负责装卸晶片。前置校准器(对边器)对wafer中心和边缘排列晶片。末端受动器和前置校准器之间的真空握手区域,包含的硅片保护装置,以确保其背面无损伤传送。因此,罗芬Waferlase®200/300/450将高端的技术和先进的控制软件集成其中,在几乎可以忽略不计的硅片破损率下确保最大生产量.

      IGBT
晶圆激光退火

     
由于IGBT相比与其他晶体管器件相比有显着的优势,如高电压能力,导通电阻低,易于驱动,开关速度快,耐用性等,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的市场正在不断增长。

     
这个市场增长的关键因素之一,是由于在汽车和工业应用领域,包括可再生能源,通讯,医疗,照明和交通运输的需求大幅增加。

      IGBT
是在一个标准的厚度为100微米或更小的机械化变薄的晶片上制造出来的。为了在晶片的背面形成场阑和/或发射极层,深层注入的掺杂元素(如磷或硼),必须高温退火的过程中被激活,直到FEOL的最后处理产线。很多时候,硅片正面的敏感装置是粘胶带保护的。由于胶带的损伤温度低,正面装置的热感应器,以及在处理腔中不均匀的热分布,使常规烤箱激活水平低和速度慢。罗芬激光退火工艺已经能够克服这些问题,工艺稳定性明显更高,并且生产成本低,晶片质量优。激光退火能够深层激活掺杂物,同时防止损坏晶片的正面和保护带。激光允许在最多2微米范围内,为场阑和/或发射极层的激活的精准深度控制。 罗芬IGBT激光退火方法激活率超过90%,远远优于传统的方式。

 

硅片打标

罗芬Waferlase®200/300/450系统可在透明,半透明,不透明的晶圆材料上打上可追踪ID标记。有两种方法激光硬打标和软打标 - 这是根据打标的处理方式,深度和位置的不同所决定的。在洁净室环境中的激光软打标,可由硅晶片表面的熔化实现。
罗芬正在申请的专利新技术,使用户可以精确的控制打标深度从小于1微米到7微米不等。激光软打标过程使用一个特制的IC打标激光源,其波长为532 nm。这种专用的解决方案,实现了高对比度,对标记小字符具有优异的表现。


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